【摘 要】
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本文提出发展蚀刻二元元件的工艺,其中最重要的是选择适当的蚀速比,它是制作具有连续厚度分布的浮雕型光刻全息图的关键,文中给出了反应功率一定时腐蚀气体流量和蚀刻速率的
【机 构】
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四川大学信息光学研究所,四川大学信息光学研究所,四川大学信息光学研究所 成都610064,成都610064,成都610064
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本文提出发展蚀刻二元元件的工艺,其中最重要的是选择适当的蚀速比,它是制作具有连续厚度分布的浮雕型光刻全息图的关键,文中给出了反应功率一定时腐蚀气体流量和蚀刻速率的关系曲线,找到了合适的工作点,根据这些结果,制作成功性能优良的全息光学元件.
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