单击事件扰动机理

来源 :微电子学 | 被引量 : 0次 | 上传用户:worinimmde
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
采用2维瞬态数字模拟器和电路代码,模拟了经受140MeV氪轰击的桑迪亚SRAM的SRAM单元的恢复时间,研究了在n~-和p~-沟道截止状态时对漏进行的轰击,得到了4个重要结果:轰击后的恢复时间与再生晶体管的驱动力密切相关,被轰击的截止态p~-沟漏-栅电容耦合将对带有反馈电阻的SRAM的恢复时间产生明显影响,恢复时间在直到0.4pC/μ的LET范围内与LET大致成线性关系,最后,在无反馈电阻器的桑迪亚SRAM内观察到了实验性的n~-沟单击事件扰动(SEU)。 A 2-D transient digital simulator and circuit code were used to simulate the recovery time of the SRAM cell of the Sandia SRAM subjected to the 140MeV Krypton bombardment. The bombardment of the drain during n ~ - and p ~ - channel cutoffs was studied , Four important results are obtained: the recovery time after the bombardment is closely related to the driving force of the regenerative transistor, and the intercepted p ~ -drain-drain-gate capacitive coupling bombarded will have a significant effect on the recovery time of the SRAM with the feedback resistor , The recovery time is approximately linear with LET over the LET range up to 0.4 pC / μ, and finally, experimental n-channel click event disturbances (SEU) are observed within the Sandia SRAM without feedback resistors.
其他文献
在功率GaAs MESFET及其放大器迅速发展的今天,人们已不再满足于仅利用均匀的有源层掺杂分布模型对器件的基本特性进行分析,以及利用近似均匀分布的GaAs材料来制作功率GaAs M
由于CMOS器件具有速度快、抗干扰性强、工作温度范围宽及功耗低等优点。使人们在系统设计中必然会考虑将来以全以CMOS器件代替TTL器件的问题。本文阐述了这种系统的设计原则
国务院办公厅2009年5月12日发布的《装备制造业调整与振兴规划》中,在提到农业装备时指出:“以国家新增千亿斤粮食工程为依托,大力发展大功率拖拉机及配套农机具、节能环保中
美国费尔查德半导体公司已销售6300门的ECL阵列.每个门的耗散功率比以前的FG系列ECL门阵列低30%,FGE6300型有560个内部元件,I/O接头是220,在565MHz的系统频率下工作.这种器
虽然目前我国客车的销售仍然是直销和经销并存,不过,随着新产品的不断上市,我国客运的不断发展,客车市场的不断扩张,购买者的群体也在不断增长,这种情况下,单枪匹马、小米加
互助讯(通讯员尉宝山孙永明)互助县经贸局把精神文明建设创建活动与积极开展帮扶助困送温暖活动相结合,取得了较好的社会效益。互 Mutual Aid (Correspondent Wei Baoshan S
Objectives:To evaluate the clinical,radiological,and histopathological features,treatment,and outcome of a series of orbital venous flow malformations(OVMs )wit
有位贪官被查处后,在忏悔书中讲述了自己堕落轨迹和心路历程:“我走上领导岗位后,手中的权力渐渐大了,这时不少人主动来和我套近乎,要和我交朋友,我却不了情,不好拒绝人家的
如果说它是一台能使人变得聪明的机器,一点也不为过,它是开启人类右脑的一项新突破面对广阔的教育消费市场佐右铭右脑记忆器,无疑成为新时代的消费新宠 If it is a machine
本文对红外交象管中制作银氧铯光电阴极所用的辅助工具——蒸银器从技术上作子比较深入的分析,文章提出了准确性、均匀性、平行性与边缘状态等问题作为评价蒸银器质量优劣的