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研究了0．8μm部分耗尽绝缘体上硅（PDSOI）CMOS器件和电路，开发出成套的0．8μm PDSOI CMOS工艺。经过工艺投片，获得了性能良好的器件和电路。其中，当工作电压为5V时，基于浮体SOI CMOS技术的0．8μm 101级环振单级延时为49．5ps；基于H型栅体引出SOI CMOS技术的0．8μm 101级环振单级延时为158ps。同时，对PDSOI CMOS器件的特性，如浮体效应、背栅特性、反常亚闽值斜率、击穿特性和输出电导变化等进行了讨论。