部分耗尽绝缘体上硅相关论文
部分耗尽绝缘体上硅(partial-depletion-silicon-on-insulator，简称PD SOI)技术，以其独特的材料结构有效地克服了体硅材料的不足，具有......
在恶劣的空间环境中，航天器受到各种辐射效应的影响，面临着失效的威胁。而锁相环(Phase-Locked-Loop，PLL)电路作为电子系统的关键模块......
研究了基于IBM 8RF 130 nm工艺部分耗尽绝缘体上Si(PDSOI)动态阈值晶体管(DTMOS)体电阻、体电容以及体电阻和体电容乘积(体延迟)随......
为简单快速模拟静态随机存储器（SRAM）~单粒子效应，在二维器件数值模拟的基础上，以经典的双指数模型为原型，通过数值拟合得到了单粒子效......
研究了0．8μm部分耗尽绝缘体上硅（PDSOI）CMOS器件和电路，开发出成套的0．8μm PDSOI CMOS工艺。经过工艺投片，获得了性能良好的器件和电路......
分别采用不同的背栅沟道注入剂量制成了部分耗尽绝缘体上硅浮体和H型栅体接触n型沟道器件．对这些器件的关态击穿特性进行了研究．当背......
利用脉冲激光入射技术研究100级0.18μm部分耗尽绝缘体上硅互补金属氧化物半导体反相器链的单粒子瞬态效应，分析了激光入射器件类型......
介绍在部分耗尽绝缘体上硅(PDSOI)衬底上形成的抗辐射128kb静态随机存储器.在设计过程中,利用SOI器件所具有的特性,对电路进行精心......
提出了一种基于部分耗尽绝缘体上硅的体源连接环形栅nMOS器件,并讨论了相应的工艺技术和工作机理。采用体源连接环形栅器件结构,有......
利用脉冲激光入射技术研究100级0.18μm部分耗尽绝缘体上硅互补金属氧化物半导体反相器链的单粒子瞬态效应,分析了激光入射器件类......
