【摘 要】
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采用射频磁控反应溅射法,以高纯Al为靶材,高纯N2为反应气体,成功制备了氮化铝(AlN)薄膜.研究了N2气流量、射频功率、溅射气压等工艺参数对AlN膜沉积速率的影响规律.结果表明,
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采用射频磁控反应溅射法,以高纯Al为靶材,高纯N2为反应气体,成功制备了氮化铝(AlN)薄膜.研究了N2气流量、射频功率、溅射气压等工艺参数对AlN膜沉积速率的影响规律.结果表明,随着N2气流量的增加,靶面溅射由金属态过渡到氮化态,沉积速率随之明显降低;沉积速率随射频功率的增大几乎成线性增大,随靶基距的增大而减小;随着溅射气压的增大,沉积速率不断增大,但在一定气压下达到最大值后,沉积速率又随气压不断减小.
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