InP单晶的阳极氧化,界面参数和浓度分布的研究

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本文首次测量了用阳极氧化方法制得的N型InPMIS二极管的I-V和C-V特性.从I-V特性曲线计算出二极管的理想因子n值为1.4,势垒高空>0.75eV.用汞探针和阳极氧化逐层剥离的方法测得了N型InP气相外延载流子浓度的纵向分布.此法制得的金势垒MIS结构可能对开展InP深能级工作有所帮助. In this paper, the IV and CV characteristics of an N-type InPMIS diode fabricated by the anodic oxidation method were measured for the first time.The ideal value of the diode n was calculated to be 1.4 from the IV characteristic curve and the barrier height was> 0.75eV with a mercury probe and anodic oxidation The vertical distribution of carrier density of N-type InP vapor phase epitaxy is measured by layer-by-layer delamination method, and the gold barrier MIS structure obtained by this method may be helpful for the deep work of InP.
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