激光制备多层铁电薄膜的C—V保持特性研究

来源 :压电与声光 | 被引量 : 0次 | 上传用户：ly110

【摘要】

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采用脉冲准分子激光工艺在Ｓｉ（１００）单晶基片上，成功地淀积了ＢＩＴ、ＰＺＴ／ＢＩＴ和ＢＩＴ／ＰＺＴ／ＢＩＴ等多层结构的铁电薄膜。通过测量金属／ＢＩＴ／ＰＺＴ／ＢＩＴ／Ｓｉ多层结构的非回线型Ｃ－Ｖ特性曲线，电容与保持时间的关系，发现三层ＢＩＴ／ＰＺＴ／ＢＩＴ薄膜具有很好的电容保持

【作者】

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李光教安承武

【机构】

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华中理工大学固体电子学系,华中理工大学激光技术国家实验室

【出处】

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压电与声光

【发表日期】

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1997年3期

【关键词】

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多层铁电薄膜电容保持特性 PLD方法激光技术 BIT/PZT/BITmultilayerferroelectricthinfilm capacitancer

【基金项目】

：

国家自然科学基金,激光技术国家实验室开放基金

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采用脉冲准分子激光工艺在Ｓｉ（１００）单晶基片上，成功地淀积了ＢＩＴ、ＰＺＴ／ＢＩＴ和ＢＩＴ／ＰＺＴ／ＢＩＴ等多层结构的铁电薄膜。通过测量金属／ＢＩＴ／ＰＺＴ／ＢＩＴ／Ｓｉ多层结构的非回线型Ｃ－Ｖ特性曲线，电容与保持时间的关系，发现三层ＢＩＴ／ＰＺＴ／ＢＩＴ薄膜具有很好的电容保持特性，是铁电场效应晶体管的理想栅极材料。

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