【摘 要】
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为了减小神经电极的宽度,提高电极在光照下的抗噪声干扰能力,提出了一种基于0.18μm CMOS工艺的抗光噪声神经微电极。采用CMOS的多层布线代替传统电极导线的单层排布,并将电
【机 构】
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中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室; 中国科学院大学; 中国科学院脑科学与智能技术卓越创新中心;
【基金项目】
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纳米科技重点研发计划项目(2017YFA0205903,2016YFB0401303,2016YFB0402405);国家自然科学基金项目(61634006,61335010,61671424);上海科技委基础研究项目(16JC1400101);青年千人科研启动项目(Y57E040000);中国科学院前沿科学重点研究项目(QYZDY-SSW-JSC004,XDA16020902);北京市科技计
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为了减小神经电极的宽度,提高电极在光照下的抗噪声干扰能力,提出了一种基于0.18μm CMOS工艺的抗光噪声神经微电极。采用CMOS的多层布线代替传统电极导线的单层排布,并将电极衬底接地以有效减小光噪声。阐述了基于CMOS工艺的神经电极结构设计、制备过程与结构表征,并对所制备的神经电极进行了电化学阻抗测试和光噪声测试。该神经电极宽度仅为70μm,实验证明:1kHz频率下电极的阻抗一致性好,且在1mW/mm2的光遗传常用光辐照下,该电极的噪声电压仅为0.07~0.08mV,远低于传统硅电极12~13mV的噪声幅值。结果表明,基于CMOS工艺的神经电极抗光噪声能力远优于传统硅电极,对硅基微电极在光遗传中的应用具有重要意义。
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