非机械清除的外延生长法

来源 :国外发光与电光 | 被引量 : 0次 | 上传用户:Spring_880916
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1 前言 近年来GaAs—AlGaAs双异质结(DH)激光器的惊人进展,是与晶体液相外延生长技术的改善分不开的。对充分利用异质结光电特微的DH激光器来说,很明显界质结介面的质量对器件的各种特性都有很大的影响。我们认为致使GaAs—AlGaAs异质结质量下降的最重要因素是因为混入了氧。AlGaAs中随着AlAs百分比的增加就 1 Introduction In recent years, the amazing progress of GaAs-AlGaAs double heterojunction (DH) lasers is inseparable from the improvement of the liquid crystal phase epitaxy technology. For DH lasers, which make full use of heterojunction photocells, it is clear that the quality of the interface between the interfaces has a great influence on the characteristics of the device. We believe that the most important factor contributing to the decrease in the mass of GaAs-AlGaAs heterojunction is the incorporation of oxygen. AlGaAs as the percentage of AlAs increase
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