论文部分内容阅读
通过第一性原理研究Ⅱ-Ⅳ-Ⅴ2族CKP半导体中的CdSiAs2,计算了其双折射性,量化了双折射性同应力的线性关系,它的负双折射性使之能够通过应力、温度调节以及同CdGeAs2混合来设计非临界位相匹配材料。计算显示,少量的参杂Ge(<5%),能够实现非临界位相匹配Ⅰ类二次谐波产生(SHG)在CO2激光谱线范围可调谐,它可能具有很高的有效x(2)。