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65nm以下线宽的纳电子器件，要求采用介电常数k小于2的超低介电常数材料作为层间和线间绝缘介质，等离子体增强的化学气相沉积技术制备的硅基纳米多孔薄膜，提供了实现k〈2的可能性，多孔SiCOH薄膜成为最具希望的候选材料，但是，纳米孔的引入带来了材料其他性能恶化、集成工艺困难、薄膜微结构分析等许多新问题．文章介绍了多孔SiCOH（超）低k薄膜研究的主要进展及面临的挑战．