利用N型半导体纳米材料抑制单量子点的荧光闪烁特性

来源 :物理学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：linxuekai

【摘要】

：

利用N型半导体纳米材料氧化铟锡（ITO）作为单CdSe/ZnS量子点的基质来抑制单量子点的荧光闪烁特性.实验采用激光扫描共聚焦显微成像系统测量了单量子点荧光的亮、暗态持续时间的

【作者】

：

王早张国峰李斌陈瑞云秦成兵肖连团贾锁堂

【机构】

：

山西大学激光光谱研究所

【出处】

：

物理学报

【发表日期】

：

2015年24期

【关键词】

：

单量子点半导体纳米材料荧光闪烁荧光寿命 single quantum dot semiconductor nanomaterials fluoresc

【基金项目】

：

国家重点基础研究发展计划（批准号：2012CB921603）, 国家自然科学基金（批准号：11374196,11174187,10934004,11204166,11404200）, 教育部长江学者和创新团队发展计划（批准号：IRT13076）,教育部博士点基金（批准号：20121401120016）, 山西省留学回国人员科技活动择优项目资助的课题~~

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利用N型半导体纳米材料氧化铟锡（ITO）作为单CdSe/ZnS量子点的基质来抑制单量子点的荧光闪烁特性.实验采用激光扫描共聚焦显微成像系统测量了单量子点荧光的亮、暗态持续时间的概率密度分布的指数截止的幂律特性,并与直接吸附在SiO2玻片上的单CdSe/ZnS量子点的荧光特性进行比较.研究发现处于ITO中的单量子点比SiO_2玻片上的单量子点荧光亮态持续时间提高两个数量级,掺杂于ITO中的单量子点的荧光寿命约减小为SiO_2玻片上的单量子点的荧光寿命的41%,并且寿命分布宽度变小50%.

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