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采用VHF-PECVD技术制备了系列微晶硅太阳电池．综合测试结果表明：硅烷浓度、热阱温度和前电极都对微晶硅太阳电池的性能有影响．在湿法腐蚀的ZnO衬底上制备的电池的效率比在ZnO／SnO2复合膜上制备的电池的效率高1．5％．在优化了沉积条件后，制备出效率达6．7％的微晶硅太阳电池（Jsc=18．8mA／cm^2，Voc=0．526V，FF=0．68），电池的结构是glass／ZnO／p（μc-Si：H）／i（μc-Si：H）／（a-Si：H）／Al，没有ZnO背反射电极．