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采用分子束外延技术（MBE）在GaAs衬底上外延生长高In组分（〉40%）InGaNAs/GaAs量子阱材料,工作波长覆盖1.3-1.55μm光纤通信波段。利用室......
从系统自由能角度,阐明了MBE生长的InGaNAs材料在高温热退火过程中材料内部的结构变化.在热退火时,In-Ga互扩散和N-As互扩散引起sp......
详细介绍了一种新型半导体材料(InGaNAs)的生长特点及其在制作高特征温度的长波长量子阱激光器、长波长垂直腔面发射激光器、长波......
