法国ALCATEL-THALES研发GaN MMICPA

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据《i-Micronews》May25th.2010报道,法国ALCATEL-THALES—Lab.的S.Piotrowicz等人研发了一款X波段(10.5GHz)AlGaN/GaN HEMTMMIC功率放大器。该放大器采用SiC衬底,其输出功率达到46.3dBm(43W),功率附加效率PAE为52%,增益为16.3dB。法国ALCATEL-THALES研发GaN MMICPA@孙再吉 According to “i-Micronews” May25th.2010, S.Piotrowicz et al. Of ALCATEL-THALES-Lab. Of France developed an X-band (10.5GHz) AlGaN / GaN HEMTMMIC power amplifier. The amplifier using SiC substrate, the output power of 46.3dBm (43W), the power added efficiency of 52% PAE, gain of 16.3dB. France ALCATEL-THALES research and development of GaN MMICPA @ Sun Zaiji
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