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本文使用CH2F2为源气体，利用电感耦合等离子体增强化学气相沉积（ICP-CVD）法在不同放电模式（连续或脉冲）、沉积气压、射频功率和位置下制备了a-C：F薄膜。用原子力显微镜（AFM）观察了薄膜的表面形貌，通过FTIR、XPS对其结构进行了表征。研究结果表明：放电模式、放电气压、射频功率、基底位置均对薄膜的表面粗糙度（RMS）和组成具有重要的影响。在脉冲波模式下，增加放电气压，薄膜RMS值的变化呈现出先降低后升高的变化趋势；基底距离线圈的距离越远，所沉积薄膜的RMS值越小。而在连续波模式下，距离线圈较远