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采用分子束外延(MBE)技术在GaAs衬底上生长Al0.26Ga0.74As外延层,并在相同的退火条件下,分别退火0,10,20,40 min.利用扫描隧道显微镜对不同退火时间下Al0.26Ga0.74As/GaAs样品表面进行了扫描,得出不同退火时间Al0.26Ga0.74As/GaAs表面形貌特点.在40 min的热退火后,Al0.26Ga0.74As/GaAs表面完全熟化.本文采用基于热力学理论的半平台扩散理论模型估测获得平坦Al0.26Ga0.74As/GaAs薄膜表面所需退火时间,根据理论模型计算得到Al0.26Ga0.74As/GaAs平坦表面的退火时间和实验获得平坦表面所需退火时间一致.