采用分子束外延(MBE)技术在GaAs衬底上生长Al0.26Ga0.74As外延层,并在相同的退火条件下,分别退火0,10,20,40 min.利用扫描隧道显微......

采用分子束外延(MBE)技术在GaAs衬底上生长Al_(0.26)Ga_(0.74)As外延层,并在相同的退火条件下,分别退火0,10,20,40 min。利用扫描......