【摘 要】
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本文研究用脉冲红外激光制备氮化硅超精细粉末,在400℃温度下,SiCl_4与NH_3反应,生成中间产物——Si(NH)_2,中间产物再用红外脉冲激光辐照分解成氮化硅超精细粉末。
In this
【机 构】
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四川大学化学系,四川大学化学系 成都 610064,成都 610064
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本文研究用脉冲红外激光制备氮化硅超精细粉末,在400℃温度下,SiCl_4与NH_3反应,生成中间产物——Si(NH)_2,中间产物再用红外脉冲激光辐照分解成氮化硅超精细粉末。
In this paper, pulsed infrared laser was used to prepare ultrafine silicon nitride powder. At a temperature of 400 ℃, SiCl_4 reacts with NH_3 to form an intermediate product of Si (NH) _2. The intermediate product was further decomposed into silicon nitride by infrared pulsed laser irradiation Ultra-fine powder.
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