【摘 要】
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随着集成电路特征线宽缩小到90nm以下，通过栅极厚度、栅极介电常数及结深提高器件性能已经不能满足工艺的要求，即使栅极厚度控制在5个原子层，而结深也只有10nm。顺应开关速度的
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随着集成电路特征线宽缩小到90nm以下，通过栅极厚度、栅极介电常数及结深提高器件性能已经不能满足工艺的要求，即使栅极厚度控制在5个原子层，而结深也只有10nm。顺应开关速度的要求，高应力氮化硅技术已经被广泛的研究。伴随氮化硅在栅极机构上施加的高应力，MOS器件的载流子迁移率可以得到很大的提高，其他器件性能也得到了不同程度的改善。具体而言，PMOS结构上的压应力能够提高空穴的迁移率，而NMOS结构上的张应力能够提高电子的迁移率。同时，高应力氮化硅作为金属前绝缘层（PMD）蚀刻停止层（ESL）也起着很重要的作
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