NMOS结构相关论文
采用ADS仿真分析的方法,对多标准兼容的宽带压控振荡器中广泛采用的NMOS结构和互补结构的性能差异进行了比较,分析了采用一种改进......
针对VDMOS-NMOS兼容集成结构建立了对接沟道NMOS晶体管工艺模型,根据其工艺模型,采用面向对象的C^++编程对对接沟道NMOS结构的杂质分布进行了二维数值模拟,给......
提出一种完全新型的VDMOS-NMOS全兼容功率集成结构的设计方法。该结构采用与VDMOS工艺兼容的对接沟道结构形成NMOS器件,利用VDMOS工艺中p^+区反刻过程形成NMOS器件的......
随着集成电路特征线宽缩小到90nm以下,通过栅极厚度、栅极介电常数及结深提高器件性能已经不能满足工艺的要求,即使栅极厚度控制在5......