【摘 要】
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利用反应溅射的方法沉积Ta2O5高介电薄膜,研究了溅射过程中氧气与氩气的体积流量比Ψ（O2：Ar）对薄膜电学性能的影响。结果表明,制备的薄膜退火后为多晶态四方结构的β-Ta2O5。随
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利用反应溅射的方法沉积Ta2O5高介电薄膜,研究了溅射过程中氧气与氩气的体积流量比Ψ（O2：Ar）对薄膜电学性能的影响。结果表明,制备的薄膜退火后为多晶态四方结构的β-Ta2O5。随着Ψ（O2：Ar）的增大,薄膜的沉积速率逐渐减小,积累电容逐渐增大,等效氧化层厚度逐渐减小,平带电容增大,氧化层中可动离子电荷密度逐渐减小。当Ψ（O2：Ar）=6：5时,所沉积Ta2O5薄膜的相对介电常数r最大,为38.32;当Ψ（O2：Ar）=2：5时,漏电流密度最小,仅为7.7×10–7A/cm2。
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