【摘 要】
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这里要谈的问题是最近得到的基本认识和研究工作今后的方向。 在发光半导体材料上的一个主要突破是用分子束外延来生长Ga_xAl_(1-x)As单晶薄膜。就单层来讲,这种薄膜是光滑
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这里要谈的问题是最近得到的基本认识和研究工作今后的方向。 在发光半导体材料上的一个主要突破是用分子束外延来生长Ga_xAl_(1-x)As单晶薄膜。就单层来讲,这种薄膜是光滑的,已能生长一百层以上的结构,其中每一层的厚度控制在很少几个埃的范围内。这样就能对局限在薄层中的电子和空穴的量子能级进行很好的吸收和发光的研究。
The issues to be talked about here are the basic directions we have recently gained and the future direction of our research work. A major breakthrough in light-emitting semiconductor materials is the growth of Ga_xAl_ (1-x) As single crystal films by molecular beam epitaxy. In the case of a single layer, the film is smooth and has been able to grow more than one hundred layers, with the thickness of each layer being controlled within a few angstroms. This allows for well-absorbed and luminescent studies of quantum levels of electrons and holes confined in thin layers.
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