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提出非均匀指间距结构功率SiGeHBTs的版图设计用以改善热稳定性。模拟和实验结果均表明，与传统的均匀指间距结构相比，非均匀指间距结构HBT的峰值结温和温度分布非均匀性均得到显著改善。上述改善归功于非均匀指间距结构HBT中心指间距的增加，从而有效阻止热流由外侧指流向中心指处。此外，与均匀指间距结构器件相比，其热阻改善13．71％，热退化功率水平提高22．8％。因此，模拟和实验均证明采用非均匀指间距结构HBT的版图设计可有效改善功率HBTs热稳定性。