【摘 要】
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用高频氧反应溅射PbTe薄膜已制成高质量红外探测器。在90°K的工作温度下,这些器件接近于300°K背景噪声限光导探测性能。在视场为2π球面度时获得的峰值响应率高于10~6伏/瓦
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用高频氧反应溅射PbTe薄膜已制成高质量红外探测器。在90°K的工作温度下,这些器件接近于300°K背景噪声限光导探测性能。在视场为2π球面度时获得的峰值响应率高于10~6伏/瓦,峰值探测度D_λ~*为8.5×10~(10)厘米赫~(1/2)/瓦。
High-frequency reactive sputtering PbTe film has been made of high-quality infrared detector. At 90 ° K operating temperature, these devices are close to the 300 ° K background noise limit light guide detection performance. The peak responsivity obtained when the field of view is 2π sphericity is higher than 10 ~ 6V / W, and the peak detection D_λ ~ * is 8.5 × 10 ~ (10) cm ~ (1/2) / W.
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