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采用格林函数方法和群速近似研究在电场、磁场作用下电子渡越稀磁半导体异质结构的自旋过滤及自旋分离的特征。研究表明具有不同自旋指向的极化电子渡越同一稀磁半导体异质结构，不仅隧穿几率存在着显著的差异，而且渡越时间的差异可达几个数量级。这种差异随着外磁场的增强而加大，而随外电场的增强而减小。结果意味着稀磁半导体异质结构具有很好的自旋过滤效果，且极化电子渡越此类结构在时间上是分离的。