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针对传统晶硅太阳电池电势诱导衰减（PID）现象中可动电荷Na＋在硅表面积累的影响，对发生PID现象电池的非漏电区域和漏电区域分别采用扩展的肖克莱-里德-霍尔复合模型和双电荷层导致P—n结导通的假说进行分析讨论。根据分析结果推测，可动电荷Na＋对于组件效率的影响同被SiNx的场钝化作用所屏蔽的隐性缺陷密切相关。提高界面钝化效果，阻止Na＋扩散至界面处同隐性缺陷结合有利于抗PID组件的制备。