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低阈值稳定基横模1.3μm InGaAsP/InP掩埋新月型激光器
低阈值稳定基横模1.3μm InGaAsP/InP掩埋新月型激光器
来源 :吉林大学自然科学学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:ariesping
【摘 要】
:
采用二次液相外延技术研制了1.3μm InGaAsP/InP掩埋新月型激光器。测试结果表明,典型室温连续工作电流为20mA,最低10mA。在3~5倍阈值工作电流下仍能以稳定的基横模激射。
【作 者】
:
肖建传
衣茂斌
【机 构】
:
吉林大学电子科学系,吉林大学电子科学系
【出 处】
:
吉林大学自然科学学报
【发表日期】
:
1989年4期
【关键词】
:
半导体激光器
低阈值电流
基横模
long-wavelength semiconductor lasers
low threshold current
fu
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采用二次液相外延技术研制了1.3μm InGaAsP/InP掩埋新月型激光器。测试结果表明,典型室温连续工作电流为20mA,最低10mA。在3~5倍阈值工作电流下仍能以稳定的基横模激射。
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