InP系量子阱相位调制器的理论设计

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:xushihuinuaa
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本文量子限制Stark效应理论计算了InP系量子阱中激子的波函数及激子的能量。在此基础上,计算了不同电场条件下激子能量的红移,以及吸收系数的变化。然后,根据K-K关系计算了折射率的变化,得到了一定强度外电场条件下,折射率变化,得到了一定强度外电场条件下,折射率变化与波长、组份及阱宽的关系。按照我们的计算,折射率变化可达2.54×10^-2。
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