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利用直流磁控溅射技术在无机玻璃衬底上制备了ZAO透明导电薄膜.研究了溅射过程中氧气分压对ZAO薄膜的结构和光电特性的影响,结果表明:当氧气分压为0 Pa时,薄膜结晶度良好,具有最小电阻率和较高的可见光透过率.
氧气分压对磁控溅射法制备ZAO膜的影响
【摘 要】
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利用直流磁控溅射技术在无机玻璃衬底上制备了ZAO透明导电薄膜.研究了溅射过程中氧气分压对ZAO薄膜的结构和光电特性的影响,结果表明:当氧气分压为0 Pa时,薄膜结晶度良好,具
【机 构】
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武汉理工大学硅酸盐材料工程教育部重点实验室
【出 处】
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武汉理工大学学报
【发表日期】
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2005年1期
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