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用高分辨岸民镜等手段研究了溶胶-凝胶(Sol-Gel)工艺制备的硅基Pb(Zr,Ti)O3(PZT)铁电薄膜,发现在PZT的上表面生成了SiO2,PZT与硅衬底的界面处形成了无定型的SiOx层并有铅的沉积,而且热处理温度越高,这种现象越显著。这些结构严重影响了PZT铁电薄膜的品质及其应用。在分析上述结构产生机制的基础上提出了Sol-Gel工艺的改进方法。