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用高分辨岸民镜等手段研究了溶胶－凝胶（Ｓｏｌ－Ｇｅｌ）工艺制备的硅基Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ３（ＰＺＴ）铁电薄膜，发现在ＰＺＴ的上表面生成了ＳｉＯ２，ＰＺＴ与硅衬底的界面处形成了无定型的ＳｉＯｘ层并有铅的沉积，而且热处理温度越高，这种现象越显著。这些结构严重影响了ＰＺＴ铁电薄膜的品质及其应用。在分析上述结构产生机制的基础上提出了Ｓｏｌ－Ｇｅｌ工艺的改进方法。