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本文报道了As预非晶制作浅P+n结,对As预非晶的能量和剂量的选择作了研究,并对常规炉退火（950℃,N2,30m）和快速热退火（RTA,1050℃,10s）作了比较。结果表明,As预非晶可有效地抑制B+注入沟道效应,阻止B+增强扩散,在常规条件下可以实现xj<0.25μm,R□<100Ω/□的源漏浅结,并已应用于1M位DRAM生产。