【摘 要】
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提出了一种新型双沟槽SOI-LIGBT结构.通过缩短高压互连线(HVI)下方沟槽的横向长度,增大了双沟槽总的反向耐压.在新型LIGBT漂移区中,当沟槽与有源区之间的距离为13μm时,可以
【机 构】
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南京电子器件研究所宽禁带半导体电力电子器件国家重点实验室,南京,210016
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提出了一种新型双沟槽SOI-LIGBT结构.通过缩短高压互连线(HVI)下方沟槽的横向长度,增大了双沟槽总的反向耐压.在新型LIGBT漂移区中,当沟槽与有源区之间的距离为13μm时,可以完全屏蔽HVI对SOI-LIGBT集电极的不良影响,HVI区域面积大幅减小.仿真结果表明,与传统结构相比,新型LIGBT的反向击穿电压提高了18.2％,为578 V,而HVI区域面积减小了60.8％.
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