SOI-LIGBT相关论文
功率半导体器件作为提升电能利用效率的关键之所在,将为我国经济插上绿色环保、高效智能的翅膀飞向世界之巅。SOI LIGBT凭借更强的......
采用数值模拟分析了双降场层SOI-LIGBT击穿电压与SOI层厚度和隔离SiO2层厚度的关系,分析了阳极短路面积比对器件正向压降、关断时......
通过在SOI LIGBT中引入电阻场板和一个p MOSFET结构 ,IGBT的性能得以大幅提高 .p MOSFET的栅信号由电阻场板分压得到 .在IGBT关断......
提出了一种新型绝缘体上硅横向绝缘栅双极型晶体管(SOI-LIGBT),该晶体管在沟道下方的P型体区旁增加了一个特殊的低掺杂P型阱区,在......
提出了一种逆导型(RC) SOI-LIGBT.通过在LIGBT阳极发射结反向并联一个肖特基二极管,在没有增大LIGBT正向导通压降的情况下,消除了......
绝缘体上硅横向绝缘栅双极型晶体管(SOI-LIGBT)具有耐压高、驱动电流能力强、开关速度快和功率损耗低等优点,已逐渐在功率集成电路......
为了改善LIGBT的关断特性,已有一种采用PMOS管来控制LIGBT阳极空穴注入的方法.在此基础上,提出了一种具有载流子存储效应的高速SOI......
提出了一种新型双沟槽SOI-LIGBT结构.通过缩短高压互连线(HVI)下方沟槽的横向长度,增大了双沟槽总的反向耐压.在新型LIGBT漂移区中......
采用二维器件模拟仿真软件Tsuprem4和Medici模拟了SOI-LIGBT的n型缓冲层掺杂剂量、阳极P＋阱区长度、漂移区长度以及阳极所加电压对S......
采用数值模拟分析了双降场层ＳＯＩ－ＬＩＧＢＴ击穿电压与ＳＯＩ层厚度和隔离ＳｉＯ２层厚度的关系，分析了阳极短路面积比对器件正向压降，关断时间和正向转折电压的影......
通过在SOI－LIGBT中引入电阻场板和一个p-MOSFET结构，IGBT的性能值以大幅提高，p-MOSFET的栅信号由电阻场板分压得到，在IGBT关断过程中，p－M......
现代工业和高新科技的迅猛发展急需电力能源的供应保障,功率半导体器件作为支撑电能高效化、能源环保化利用的中流砥柱,承担着电能......
横向绝缘栅双极晶体管(Lateral Insulated Gate Bipolar Transistor:LIGBT)具有电压控制、低导通电阻和高输入阻抗等优点,且兼具纵......
基于SOI-LIGBT（Silicon-on-Insulator—Lateral Insulated Gate Bipolar Transistor），采用二维器件模拟软件Tsuprem4和Medici，仿真N-bu......
