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ESD保护电路已经成为集成电路不可或缺的组成部分，如何避免由ESD应力导致的保护电路的击穿已经成为CMOS IC设计过程中一个棘手的问题。光发射显微镜利用了IC芯片失效点所产生的显微红外发光现象可以对失效部位进行定位，结合版图分析以及微分析技术，如扫描电子显微镜SEM、微红外发光显示设备EMMI等的应用可以揭示ESD保护电路的失效原因及机理。文章通过对一组击穿失效的E2PROM工艺的ESD保护电路实际案例的分析和研究，介绍了几种分析工具，并且在ESD失效机制的基础上，提出了改进ESD保护电路的设计途径。