RF-CMOS建模：MOST在片测试结构寄生分析

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【摘要】

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提出了一种新的RF-CMOS晶体管在片测试结构寄生模型，模型综合考虑了射频／微波条件下RF-MOST器件在片测试结构中的各种寄生效应．模型考虑了PAD-互连金属、互连金属-DUT（device und

【作者】

：

刘军孙玲玲徐晓俊

【机构】

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杭州电子科技大学微电子CAD所

【出处】

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半导体学报

【发表日期】

：

2007年2期

【关键词】

：

RF-CMOS 在片测试结构寄生效应建模 RF-CMOS test structure parasitic effect modeling

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提出了一种新的RF-CMOS晶体管在片测试结构寄生模型，模型综合考虑了射频／微波条件下RF-MOST器件在片测试结构中的各种寄生效应．模型考虑了PAD-互连金属、互连金属-DUT（device under test）之间的非连续性，对互连金属和基底之间的寄生效应单独进行了考虑，通过引人一个新的元件，对PAD结构基底感性损耗进行表征．模型最终应用到采用CSM（Chartered Semiconductor Manufacture Ltd）0．25μmRF-CMOS工艺制造的测试结构寄生效应等效电路建模中，高

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