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提出了一种新的RF-CMOS晶体管在片测试结构寄生模型,模型综合考虑了射频/微波条件下RF-MOST器件在片测试结构中的各种寄生效应.模型考虑了PAD-互连金属、互连金属-DUT(device under test)之间的非连续性,对互连金属和基底之间的寄生效应单独进行了考虑,通过引人一个新的元件,对PAD结构基底感性损耗进行表征.模型最终应用到采用CSM(Chartered Semiconductor Manufacture Ltd)0.25μmRF-CMOS工艺制造的测试结构寄生效应等效电路建模中,高