LPE相关论文
用水平推舟的方法以固态HgTe替代液态Hg补偿源,在CdZnTe衬底上从富Te溶液中外延生长出组分均匀的HgCdTe薄膜.采用红外透射法测量薄......
Biallelic and triallelic 5-HTTLPR polymorphisms and their relationship with lifelong premature ejacu
Objective: The study aimed to explore the relationship between premature ejaculation (PE) and the serotonin transporter ......
采用液相外延技术,试制了梯形衬底大光腔(LOC)可见光AlGaAs半导体激光器。其波长为717.2～770.0nm,室温(298K)连续工作阈值电流为300......
对液相外延生长的双沟平面掩埋异质结(DCPBH)结构超辐射发光二极管(SLD)双沟内漏电现象进行了理论分析与定量计算。在此基础上通过......
采用液相外延技术,试制了梯形衬底大光腔(LOC)可见光AlGaAs半导体激光器。其波长为717.2～770.0nm,室温(298K)连续工作阈值电流为300......
根据热力学理论推导出（Ｈｇ，Ｃｄ）Ｔｅ液相外延生长过程中有效分凝系数的表达式并与实验结果进行比较，由此分析了Ｈｇ压、溶液组成、降温速度及过冷度等......
给出了漏光波导机制在四元系长波长半导体激光器中的一个应用实例。从理论上证明了漏光波导机制在四元系半导体材料中应用的可行性......
计算了Ⅲ－Ⅴ族五元系化合物ＡｌＧａＩｎＰＡｓ与ＧａＡｓ晶格匹配时的等能隙曲线以及液相外延生长ＡｌＧａＩｎＰＡｓ／ＧａＡｓ所用母液中Ａｌ的分凝系数。实验证明，由于Ａｌ的分凝，使过冷度对Ａｌ－ＧａＩｎＰＡｓ外延层......
本文以实际测得的数据为依据,从实用的角度出发,探求影响GaAs液相外延层厚度的主要因素,提出了几种厚度的数学模型。并对(1)δ=a_0......
用化学腐蚀配合扫描电镜（ＳＥＭ）对几种不同来源的国产ＧａＰＮ液相外延（ＬＰＥ）材料及各自的衬底的位错密度ＮＤ和发光亮度进行了测量．结果表明：样品的发光亮度随......
在国内首次利用LPE生长技术在n-InP(100)衬底上成功地生长1.35μm InGaAsP分别限制单量子阱结构。通过对样品的横截面进行的TEM观......
据《电子学快报》1979年9月27日刊报导: 英国标准电讯研究所的G.D.Henshall等人,最近用LPE方法制成了一种1.55μm的低阈值电流(Ga......
在开管H_2气流系统中,利用普通滑移舟,在(111)A CdTe衬底上;液相外延生长出Hg_(1-x)Cd_xTe(0.17≤x≤0.3)外延层。用这种方法生长......
用于凝视和扫描上的第二代红外成象系统要求有高密度的焦平面列阵,为了满足这些要求,已经研制了用HgCdTe光电二极管作为探测器和用......
用近平衡降温生长的LPE技术生长了In_(1-x)Ga_xAs/InP(111)B异质结,研究了在饱和溶液附近,“Ga”组分的偏离对“X”值,带隙(Eg)、......
LPE后残Ga去除,一般有物理的(刮除)、热水(擦除)和化学的(腐蚀去除)等方法,这里介绍一种国外专利方法,这是一种化学清洁剂,其配方......
据报导,苏联科学院伊奥夫物理技术研究所采用改进液相外延(LPE)技术,制作出超薄有源区的InGaAsP激光异质结构,有源层厚达几百埃,......
首先用正规溶液模型,在650～700℃间计算了In_(0.53)Ga_(0.47)As的液相组分。通过实验调整,在653℃、684℃和701℃LPE生长了与(100)I......
成功地制作了有效保护环结构InP/InGaAsP/InGaAs雪崩光电二极管。该器件是平面结构,在倍增区,其n-InP层被n~--InP所掩埋。采用两步......
由于汞压难于控制,碲镉汞液相外延中汞压的控制被认为是该工艺成败的关键之一。用充H_2和附加HgTe控制汞源形成所谓增压液相外延,......
本文报道了在掺In半绝缘GaAs衬底上的液相和汽相外延生长,并用x射线双晶衍射和光学显微等方法研究外延层和衬底之间的晶格失配.结......
在GaSb衬底上用LPE法生长了晶格匹配的AlGaAsSb外延层。用室温光致发光和X射线双晶衍射分别测量了材料的禁带宽度和晶格常数,并与......
叙述了用液相外延(LPE)制作 InGaAsP/InP 雪崩光电二极管(APD)的物理性能。分析了该器件的设计参数。介绍了器件结构、器件制作中 ......
本文运用Ｒ．Ａ．Ｓ（ＲｅｇｕｌａｒＡｓｓｏｃｉａｔｅｄＳｏｌｕｔｉｏｎｓ）模型的基本原理，导出了简明的适用于ＡⅡ－ＢⅥ－ＣⅥ三元系富Ⅵ族区的液固平衡方程．并由此计算了Ｚｎ－Ｓｅ－Ｔｅ三元系富Ｔｅ区的液固平衡曲线，计算结果与......
本文由有限厚度溶液及自由表面浓度和恒定表面浓度二种模型出发对ＬＰＥ生长动力学过程进行了理论分析，并导出了实现薄层生长的参数控制条......
报道了具有双ｎ型结构的ＧａＰ绿色发光二极管在汽相掺杂、液相外延过程中，对硫（Ｓ）掺杂浓度的控制和监测方法，并研究了掺Ｓ浓度对发光效率的影响。......
应用ＬＰＥ法成功地制出了Ｇａ＿（１－ｘ）Ａｌ＿ｘＡｓ／ＧａＡｓ多层结构材料，讨论了生长过程中铝、锗等元素的行为，测量了载流子浓度分布、少子扩散长度等电学性质，井观察了材料......
阐述了ＧａＰ∶ＮＬＰＥ片纵向载流子浓度分布的测量方法， 探讨了各层载流子浓度和载流子浓度分布对发光效率的影响。
The measurement method of......
本文首先归纳出硅基微型显示器驱动电路的共同特征,然后按照有效的模块设计方法,采用EDA工具为硅基微显芯片建立实用而可靠的IP模......
Surface Oxidative Characterization of LPE HgCdTe Epilayer Studied by X-ray Photoelectron Spectroscop
The surface oxidative characterization of Liquid Phase Epitaxy (LPE) HgCdTe epilayer has been studied by X-ray Photoelec......
简要介绍了主要的红外探测器材料，包括半导体光电探测器材料，热释电材料和热敏电阻材料，回顾了ＨｇＣｄＴｅ材料的发展历史和现状，液相外延，分子束外......
用固态HgTe作为Hg补偿源,采用开管、水平滑块推舟的富Te液相外延(LPE)方法在碲锌镉(Cd1-yZnyTe, y＝0.04)衬底上外延生长大面积Hg1-x......
用水平开管液相外延技术在锑化铟衬底上用富铟锑化铟母液生长锑化铟薄膜材料,薄膜材料具有n-on-p结构,衬底为p型层,掺Ge,浓度1......
本文概述了用于高功率半导体激光器材料制备和器件制作的三种常用的外延方法，液相外延（ＬＰＥ），金属有机物化学汽相淀积（ＭＯＣＶＤ）和分子束外延（ＭＢＥ），分析了各......
本文阐述了采用Si基复合衬底,利用液相外延方法成功进行中波碲镉汞薄膜生长的情况,并且采用X光双晶衍射、X光形貌、红外付立叶光谱......
通过对液相外延生长的外延片不同处理处理的研究，摸索出一条利用扫描电子显微镜来观测有源区厚度的有效方法－蒸金法，最优可观察到有源......
利用改进的液相外延技术生长出了ＧａＡｓ－ＧａＡｌＡｓ大光腔结构激光器。样品１０Ｋ下光荧光谱的峰值波长为９２６．２６ｎｍ。样品的测量结果表明，样品质量达到了设计要求。利......
文中对(211)晶向的CdZnTe衬底进行液相外延生长HgCdTe.获得的碲镉汞液相外延材料的组分为0.30～0.33,薄膜厚度为10～15μm,表面缺陷密......
通过碲镉汞液相外延薄膜的典型缺陷的研究，结合国内外的研究现状，综述了各种缺陷的特征、起因、消除方法等。通过对HgCdTe液相外延层......
文章报道了采用液相外延方法，在碲锌镉衬底上进行碲锌镉薄膜缓冲层生长的情况，并且采用X光双晶衍射仪、X光形貌仪、红外傅里叶光谱仪......
The Raman scattering spectra of n-type GaP(doped S) single crystal and red and green luminous materials grown on the n-t......
根据相律探索出相平衡形成母液法生长磅镉汞液相外延膜新的工艺方法。该方法工艺简单，外延膜组份易于调整和控制。利用此种方法，成功......
用深能级瞬态谱（DLTS）法,结合表面光伏（SPV）法,研究了1MeV能量和不同剂量的电子辐照下对N型液相外延（LPE）、汽相外延（VPE）GaAs层逐次引入的......
