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采用水热法在p—Si（111）衬底上生长出六棱ZnO微管，在空气中进行了300-600℃不同温度的热处理，并用XR．D、XPS、PL谱研究了热处理对ZnO微管的结构、发光性能的影响。结果表明经过热处理后，ZnO微管的晶体质量显著改善。室温下的光致发光测试显示，在可见发射几乎消失的情况下，近带边发射的强度显著增大。与原位生长的ZnO微管相比，在泵浦密度为28kW／cm^2时，热处理400℃的样品在近紫外区产生一个新的发射峰P。通过验证发射峰A与P之间的相对能量位置，认为新发射峰P可能是由激子。激子碰撞引起的