【摘 要】
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设计并制备了典型电容式射频微机电系统(RF MEMS)开关结构,利用纳秒脉冲微间隙击穿的电气测试和光学诊断系统,对上、下电极间隙宽度在45~100μm的电容式RF MEMS开关的击穿及
【机 构】
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西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室,西北核技术研究所,强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室
【基金项目】
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国家自然科学基金资助项目(51607138);强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室开放基金资助项目(SKLIPR.1512)
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设计并制备了典型电容式射频微机电系统(RF MEMS)开关结构,利用纳秒脉冲微间隙击穿的电气测试和光学诊断系统,对上、下电极间隙宽度在45~100μm的电容式RF MEMS开关的击穿及损伤特性进行了研究。结果表明:上、下电极间隙宽度为45~100μm时,典型电容式RF MEMS开关击穿属于空气-氮化硅双层介质击穿,且随着间隙增大击穿电压变化不明显;击穿点主要集中在上电极悬浮铝桥上,Al桥形貌损伤十分严重,而其他部位损伤较小。
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