低温热处理温度对SiC衬底上CuAlO2薄膜特性的影响

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为了解决双极型碳化硅(SiC)功率器件中由于p型SiC在室温下难以完全电离所导致的p+n发射结注入效率低的问题,提出将p型CuAlO2与n型SiC形成的异质结作为发射结以提高该结的注入效率。本文利用溶胶凝胶(sol-gel)方法,在4H-SiC衬底上制备了CuAlO2薄膜,研究了低温热处理温度对CuAlO2薄膜晶体结构、表面形貌、光学特性的影响。结果表明:较高的热处理温度可以促进中间产物CuO的生成,进而在固相反应阶段促进CuAlO
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采用第一性原理方法,对本征Mg2Si以及K和Ti掺杂Mg2Si的几何结构、电子结构和光学性质进行计算分析。计算结果表明本征Mg2Si是带隙值为0.290 eV的间接带隙半导体材料,K掺杂Mg2Si后,Mg2Si为p型半导体,电子跃迁方式由间接跃迁变为直接跃迁,Ti掺杂Mg2Si后,Mg2Si为n型半导体,仍然是间接带隙。K、Ti掺杂后的静介电常数ε1(0
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采用高温固相法合成出正交相和三斜相结构的BiNbO4∶Eu3+样品,利用X射线衍射(XRD)、拉曼光谱、吸收光谱和荧光光谱对样品的结构和光学性能进行了研究。结果表明:900℃合成样品为正交相结构α-BiNbO4,而1200℃得到三斜相结构β-BiNbO4。吸收光谱得到α相和β相BiNbO4的光学带隙分别为2.69 eV和2.96 eV,与第一性原理的理论结果2.640 eV和3.032 eV相吻合。Eu3+<