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采用基于密度泛函理论(DFF)的平面波赝势方法对SnO2：F体系的电子结构进行了第一原理模拟计算。用广义梯度近似(GGA)方法优化SnO2：F体系的晶胞结构，计算了体系基态总能，通过确定F掺杂对O的优先替代位置，计算了SnO2：F的能带结构、态密度、分波态密度：分析了F掺杂对SnO2晶体的电子结构和晶体性质及光学吸收边的影响，从理论上得出光学吸收边发生蓝移。对不同掺杂量的体系电子结构进行了分析。