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在考虑了重掺杂效应、异质结构垒效应、各物理量随温度的变化以及背注入空穴电流、BE结空间电荷区复合电流、中性基区复合电流对基极电流贡献后,对Si/SiGe/Si HBT的常温和低温直流特性进行了解析模拟。给出了T=77K和300K时的Si/SiGe HBT Gummel图和电流增益β与集电极电流密度JC的关系。研究了基区少子寿命对β的影响。模拟显示,Si/SiGe/Si HBT在电流和中等电流下有良