【摘 要】
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采用传统的射频等离子体增强化学气相沉积技术，在较高的工作气压130Pa和较高的射频功率70W下，在〉100℃的低温下，以0．14nm／s速率制备出优质的纳米晶硅薄膜。研究结果表明，薄膜晶化
【机 构】
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韩山师范学院物理与电子工程系,汕头大学物理系
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采用传统的射频等离子体增强化学气相沉积技术，在较高的工作气压130Pa和较高的射频功率70W下，在〉100℃的低温下，以0．14nm／s速率制备出优质的纳米晶硅薄膜。研究结果表明，薄膜晶化率和沉积速率与衬底温度有密切关系。当衬底温度〉100℃，薄膜由非晶相向晶相转化，随着衬底温度的进一步升高，薄膜晶化率增大，当温度为300℃时，薄膜的晶化率达82％，暗电导率为10^-4Ω^-1·cm^-1数量级，激活能为0．31eV。当薄膜晶化后，沉积速率随衬底温度升高而略有增加。
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