ECR微波等离子体CVD制备a—Si:H薄膜

来源 :浙江大学学报:自然科学版 | 被引量 : 0次 | 上传用户:prajana
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电子回旋共振微波等离子体化学气相沉积(ECRPCVD)应用于制备a-Si:H薄膜,其沉积速率大于射频等离子体化学气相沉积(RFPCVD),而且在基体不加温情况下也能获得比较满意的特性,根据红外吸收谱分析,并经伸缩振动模吸收带的积分计算,得出样品的含氢量为20-30%,光学带隙E0为1.80eV左右,暗电导率小于10^10s/cm,倘若基体适当加温,a-Si:H膜的性能将更为优良。
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