【摘 要】
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研究了GaN肖特基结构（n^--GaN/n^＋-GaN）紫外探测器的结构参数对器件性能的影响机理。模拟计算结果表明：提高肖特基势垒高度和减小表面复合速率,不仅可以增加器件的量子效率,而且
【机 构】
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中国农业大学理学院应用物理系,中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室
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研究了GaN肖特基结构（n^--GaN/n^＋-GaN）紫外探测器的结构参数对器件性能的影响机理。模拟计算结果表明：提高肖特基势垒高度和减小表面复合速率,不仅可以增加器件的量子效率,而且可以极大地减小器件的暗电流;适当地增加n^--GaN层厚度和载流子浓度可以提高器件的量子效率,但减小n^--GaN层的载流子浓度却有利于减小器件的暗电流。我们针对实际应用的需要,提出了一个优化器件结构参数的设计方案,特别是如果实际应用中对器件的量子效率和暗电流都有较高的要求,肖特基势垒高度应该≥0.8eV,n^--GaN层
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