【摘 要】
：
自主研制的GaN HEMT,栅源泄漏电流从10-4A量级减小到了10-6A量级,有效提高了栅漏击穿电压,改善了器件工作特性.采用MIS结构制作了2.5mm栅宽GaN HEMT,测试频率为8GHz,漏源电压
【机 构】
：
专用集成电路国家重点实验室,中国电子科技集团公司第十三研究所,西安电子科技大学微电子学院
论文部分内容阅读
自主研制的GaN HEMT,栅源泄漏电流从10-4A量级减小到了10-6A量级,有效提高了栅漏击穿电压,改善了器件工作特性.采用MIS结构制作了2.5mm栅宽GaN HEMT,测试频率为8GHz,漏源电压为33V时,器件连续波输出功率为18.2W,功率增益为7.6dB,峰值功率附加效率为43.0%.2.5mm×4GaN HEMT内匹配器件,测试频率8GHz,连续波输出功率64.5W,功率增益7.2dB,功率附加效率39%.
其他文献
在人们生活的社区中,物业管理作为一种重要的社区稳定器以及矛盾调和者,无时无刻都在发挥着促进社区稳定、加强社区和谐的重要作用。新时期下,不断变化的形势和各种因素的交
幼儿园和家庭是幼儿生活的两个最重要的环境,家庭教育与幼儿园教育有其不同的特点,如家庭教育针对幼儿个性,情感性和随意性较强,而幼儿园的教育相对来说就更加专业,更有计划
应用紫外光化学气相淀积技术在450和480℃超高真空的背景下在Si衬底上分别生长出应变Si1—xGex和Si材料．在此低温下，有效地控制了衬底中的杂质外扩以及界面的不清晰．X射线分析结
利用正向交流（AC）小信号方法对发光二极管（LED）的电容-电压特性进行测量,可以观察到发光二极管中的负电容现象.提出了测量到的负电容现象是表象,不存在负电容;发光二极管p-n结的
依据《测控电路》课程特点,从教学内容、教学模式、教学手段等方面对本课程进行课堂教学的改革探索,以期培养学生的自主学习能力,实现从被动到主动学习的转换。
在现如今经济现代化进程飞速发展、网络日益普遍的大环境下, 对未成年人的思想道德建设工作也变得愈发紧迫。虽然在现阶段下,孩 子们的视野变得更为开阔,驾驭知识的能力也更
随着社会和信息化水平的飞速发展,教育改革也愈受关注,其中有发展机遇,同样也并存更加严峻的考验,这是对职业教育整体的考验也是对职业教育从事人员管理和教学能力的综合考验
本文根据电力通信电源的典型架构特点,通过风险辨识,从各个单元、模块分别辨析,进而得出较为科学的运维策略。本文所述的运维策略基于南方电网通信电源的日常运维要求,从电源
微课是在教育培训信息化发展历程中产生的一种高效的培训方式,微课培训的鲜明特点为铁路教育培训当前面临的困惑提出了新的解决途径。本文在分析了当前铁路培训所面临突出问
采用角依赖X射线光电子谱技术（ADXPS）对高温氧化SiO2／4H—SiC（0001）界面过渡区的组成、成分分布等进行了研究．通过控制1％浓度HF酸刻蚀氧化膜的时间，制备出超薄膜（1～1．5nm）样品，同时借助标