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采用热CVD制备了图形化碳纳米管阵列薄膜。着重研究了生长温度、催化剂结构对碳纳米管形貌的影响。结果表明，当温度＜800℃时，生长的碳纳米管纯度较低；当温度为850℃时，生长为碳纤维；当生长温度为800℃时，生长纯度较好的碳纳米管，但碳纳米管垂直性较差。采用Al／Fe催化剂结构，生长出图形化的阵列化碳纳米管薄膜。