高速双极存储器LSI电路的设计

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最近,在LSI设计上已开始应用电子计算机的电路分析程序。用电路分析程序设计双极存储器的实例也有报告。但是,作为数值计算的通例,使用电路分析程序分析电路工作时,计算中使用的结电容、r′_(bb)等器件常数和电源电流、信号摆幅等设计参数,与所得到的计算结果之间的关系不明确之处较多。因此,在设计存储器LSI电路时,为了使各电路功耗分配最佳化和工艺、器件的改进各点更明确,电路分析程序是不适合的。与电路分析程序相比,尽管精度有所降低,但 Recently, circuit analysis programs for electronic computers have been started to be used in LSI designs. An example of designing a bipolar memory using a circuit analysis program is also reported. However, as a general rule of numerical calculation, the circuit analysis program is used to analyze circuit parameters such as junction capacitance, device constant such as r ’_ (bb), power supply current and signal swing used in the calculation. The relationship between the more ambiguous place. Therefore, in the design of memory LSI circuit, in order to optimize the power distribution of each circuit and process, the improvement of the device more clearly points, the circuit analysis program is not suitable. Compared with the circuit analysis program, although the accuracy is reduced, but
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