化学计量对Ba1-xSrxTiO3薄膜介电性能的影响

来源 :苏州大学学报(自然科学版) | 被引量 : 0次 | 上传用户：bluebluewater

【摘要】

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采用脉冲激光沉积法,在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了Ba1xSrxTiO3薄膜,通过改变Sr化学计量,研究了其介电性质.实验结果发现:随着Sr化学计量的增加,薄膜的介电系数明显增大,而损

【作者】

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葛水兵

【机构】

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苏州大学物理科学与技术学院

【出处】

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苏州大学学报(自然科学版)

【发表日期】

：

2005年4期

【关键词】

：

Ba1-xSrxTiO3薄膜介电性质脉冲激光沉积 BST thin films dielectric properties pulsed-laser dep

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采用脉冲激光沉积法,在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了Ba1xSrxTiO3薄膜,通过改变Sr化学计量,研究了其介电性质.实验结果发现:随着Sr化学计量的增加,薄膜的介电系数明显增大,而损耗仍然保持在较低的水平.研究表明:薄膜介电系数的增大是由于薄膜中颗粒尺寸的减小,导致了居里温度的降低.另外,C-V特性研究发现:随着Sr化学计量的增加,薄膜的电容调谐度也有所提高.

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