UHV／CVD外延生长SiGe／Si表面反应动力学

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：qinyongj

【摘要】

：

利用ＳｉＨ４和ＧｅＨ４作为源气体，对ＵＨＶ／ＣＶＤ生长Ｓｉ１－ｘ／Ｓｉ外延层的表面反应机理进行了研究，通过ＴＰＤ，ＲＨＥＥＤ等实验观察了Ｓｉ（１００）表面ＳｉＨ４的饱和吸附、热脱附过程，得出ＳｉＨ４的分解应该是每个ＳｉＨ４分子的４个Ｈ原子全部都吸附到了Ｓｉ表面，ＳｉＨ４的吸附率正比于表

【作者】

：

于卓李代宗

【机构】

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InstofSemiconductors

【出处】

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半导体学报

【发表日期】

：

2000年6期

【关键词】

：

UHV/CVD 外延生长硅锗化硅表面反应动力学 SiGe/Si UHV/CVD growth kinetics

【基金项目】

：

国家“8 63”计划,,国家自然科学基金资助项目!( 863 -3 0 7-1 5-4 ( 0 3 ) ,698962 60 )

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利用ＳｉＨ４和ＧｅＨ４作为源气体，对ＵＨＶ／ＣＶＤ生长Ｓｉ１－ｘ／Ｓｉ外延层的表面反应机理进行了研究，通过ＴＰＤ，ＲＨＥＥＤ等实验观察了Ｓｉ（１００）表面ＳｉＨ４的饱和吸附、热脱附过程，得出ＳｉＨ４的分解应该是每个ＳｉＨ４分子的４个Ｈ原子全部都吸附到了Ｓｉ表面，ＳｉＨ４的吸附率正比于表面空位的４次方，并分析了ＧｅＨ４的表面吸附机制，在此基础上建立了ＵＨＶ／ＣＶＤ和Ｓｉ１－ｘＧｅｘ／Ｓｉ的表面反应动

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