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利用SiH4和GeH4作为源气体,对UHV/CVD生长Si1-x/Si外延层的表面反应机理进行了研究,通过TPD,RHEED等实验观察了Si(100)表面SiH4的饱和吸附、热脱附过程,得出SiH4的分解应该是每个SiH4分子的4个H原子全部都吸附到了Si表面,SiH4的吸附率正比于表面空位的4次方,并分析了GeH4的表面吸附机制,在此基础上建立了UHV/CVD和Si1-xGex/Si的表面反应动